场效应管的主要特性参数

详细内容

　　一、直流参数
　　1.夹断电压UP

　　在UDS为某一固定值的条件下，使ID等于一个微小电流值(几微安)时，栅极上所加偏压UGS就是夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型场效应管。

　　2.开启电压UT

　　在UDS为某一固定值的条件下，使S极与D极之间形成导电沟道的UGS就是开启电压。它只适用于增强型绝缘栅型场效应管。

　　3.饱和电流IDSS

　　在UDS-O的条件下，漏极与源极之间所加电压大于夹断电压时的沟道电流称为饱和电流，它适用于耗尽型绝缘栅型场效应管。

　　4.直流输入电阻RGS

　　在场效应管输入端(即栅源之间)所加的电压UGS与流过的栅极电流之比，称作直流输入电阻。绝缘栅型场效应管的直流输人电阻比结型场效应管大两个数量级以上。结型场效应管的直流输人电阻为1x108Ω，而绝缘栅型场效应管的直流输人电阻为1x1012Ω以上。

　　5.漏源击穿电压BVDS

　　在增大漏源电压的过程中，使ID开始剧增的UDS值，称为漏源击穿电压。BVDS确定了场效应管的使用电压。

　　6.栅源击穿电压BVGS

　　对结型场效应管来说，反向饱和电流开始剧增时的UGS值，即为栅源击穿电压。对于绝缘栅型场效应管来说，它是使SiO2绝缘层击穿的电压。