光发射二极管概述

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　　半导体发光二极管以其优越的性能弥补了半导体激光器的不足囵，其主要特性为：

　　（1）无阈值特性，在很低电流下就可以实现有效发光；

　　（2）P-I特性好，容易进行信号调制，但是调制速率较低；

　　（3）热稳定性好，输出功率随温度的变化较小；

　　（4）工作寿命长，可靠性高，工作寿命大于10(8)h；

　　（5）光谱线很宽（＞30 nm），在波长为1.3 gm处频带宽度可达1 GHz。

　　此外，成品率高、价格便宜也是半导体发光二极管的一个显著优势之一。半导体发光二极管种类较多，分类方式灵活。按芯片材料大致可以分为化合物（如GaP，GaN和A1x-Ga1-xAs）发光二极管和硅基发光二极管；按照发光波长可以分为可见、近红外、远红外等；按照发光部位可以分为表面发射、边发射等；按照发光特性还可以分为普通发光二极管和超辐射或超荧光发光二极管。发光二极管还可以按照封装类型、发光强度等方式进行划分，此处不再详细介绍。