磁敏电阻器的结构

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磁敏电阻器(简称磁阻)元件是利用电流磁效应制成的传感器，使用的材料有半导体和强磁性金属，半导体材料有Insb和GaAs等，强磁性金属有Ni—Fe和Ni-Co等，它们的磁场都非常微弱，不能单独使用，要与偏置磁铁及高增益放大器组合使用。
不同材料的磁阻元件其特性差异较大，对于半导体磁阻元件，若外加磁场，则磁阻元件内部电阻增大，对磁场表现为正磁性；对于强磁性金属磁阻元件，特性正好相反，外加磁场时其内部电阻减小，表现为负磁性。 图3—6为磁阻元件的结构，
图3—6a是单个磁阻元件的结构，它是在偏置磁铁的表面上形成磁阻元件的结构，偏置磁铁要采用稀土族那类小形而磁能积高的磁铁。图3—6b为复合型结构，有两个磁阻元件在同一平面上形成，因而改善了其温度特性。一般做成差动式使用。