MMBZ5239BLT1G的技术参数

详细内容

产品型号:MMBZ5239BLT1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):8.640
齐纳击穿电压Vz典型值(V):9.100
齐纳击穿电压Vz最大值(V):9.560
@Izt(mA):20
齐纳阻抗Zzt(Ω):10
最大功率PMax(W):0.225
芯片标识:8P
封装/温度(℃):3SOT-23/-65~150
价格/1片(套):￥.25