NTP4302G的技术参数
详细内容
产品型号:NTP4302G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.300
最大漏极电流Id(on)(A):74
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150
描述:74 A, 30 V功率MOSFET
价格/1片(套):¥6.80
产品型号:NTP4302G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.300
最大漏极电流Id(on)(A):74
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150
描述:74 A, 30 V功率MOSFET
价格/1片(套):¥6.80