NTJS4160NT1G的技术参数

详细内容

产品型号:NTJS4160NT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60
最大漏极电流Id(on)(A):3.200
通道极性:N
封装/温度(℃):SC88-6/-55~150
描述:30V,3.2A,N沟道MOSFET
价格/1片(套):暂无