NTA4001NT1G的技术参数
详细内容
产品型号:NTA4001NT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20(min)
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1500
最大漏极电流Id(on)(A):0.238
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SC-75 /-55 ~150
描述:小信号N沟道20 V, 238 mA MOSFET 带ESD保护
价格/1片(套):¥1.10
产品型号:NTA4001NT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20(min)
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1500
最大漏极电流Id(on)(A):0.238
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SC-75 /-55 ~150
描述:小信号N沟道20 V, 238 mA MOSFET 带ESD保护
价格/1片(套):¥1.10