MM5Z4V3T1G的技术参数
详细内容
产品型号:MM5Z4V3T1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):4
齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.300
齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.600
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):90
最大功率PMax(W):0.200
芯片标识:8
封装/温度(℃):SOD523/-65~150
价格/1片(套):¥.45
产品型号:MM5Z4V3T1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):4
齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.300
齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.600
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):90
最大功率PMax(W):0.200
芯片标识:8
封装/温度(℃):SOD523/-65~150
价格/1片(套):¥.45