NTP30N06LG的技术参数

详细内容

产品型号:NTP30N06LG
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):46
最大漏极电流Id(on)(A):30
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150
描述:30 A, 60 V功率MOSFET
价格/1片(套):￥6.40