NTF6P02T3G的技术参数

详细内容

产品型号:NTF6P02T3G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50
最大漏极电流Id(on)(A):6
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-223/-55 ~150
描述:-20 V, -6.0A功率MOSFET
价格/1片(套):￥3.60