NTD2955的技术参数

详细内容

产品型号:NTD2955
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150
最大漏极电流Id(on)(A):12
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):DPAK/-55~150
描述:-0.4A,-20V功率MOSFET
价格/1片(套):￥3.00