NTB4302的技术参数
详细内容
产品型号:NTB4302
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6.800
最大漏极电流Id(on)(A):74
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):D2PAK/-55~175
描述:74A,30V逻辑电平的功率MOSFET
价格/1片(套):¥9.20
产品型号:NTB4302
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6.800
最大漏极电流Id(on)(A):74
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):D2PAK/-55~175
描述:74A,30V逻辑电平的功率MOSFET
价格/1片(套):¥9.20