什么是场效应三极管与可控硅

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什么是场效应三极管：
场效应三级管与普通三级管不同，他属于电压控制器件，其管子电流受控于栅极电压，与电子管的特性类似。
场效应管的分类：
按其工艺结构可分为结型场效应管（JEFT）和绝缘栅场效应管（MOS）类。按沟道所用的半导体材料又可分为N沟道和P沟道两种。（沟道即电流通道）按零栅压条件下源漏通端状态分，可分为增强型和耗尽型。
所谓耗尽型是指零栅压时，场效应管已经存在沟道，而增强型只有栅偏压达到一定值才出现沟道。
场效应管的参数定义：
场效应管的夹断电压：在规定的漏源电压下，使漏，源电流下降到规定值的栅，源电压。
场效应管的开启电压：在规定的漏源电压下，使漏，源电流达到规定值的栅，源电压。
什么是可控硅
可控硅是硅可控整流器的简称，缩写为SCR 又称为晶闸管。可控硅按其电流容量，50A以上的为大功率管，5A以下的为小功率管， 两者之间的则为中功率管。

可控硅主要应用于无触点开关，调速， 调光，稳压，变频等方面。

可控硅的结构：内部有相互交叠的4层PN区组成，有三个PN结，三个电极， 即阳极A 阴极K 控制极G .三个PN结实际构成了两个相互连接的三极管。一个是PNP,一个是NPN ,每个管子的集电极连接导另一个管子的基极，形成正反馈。
可控硅的主要参数定义如下：
可控硅的额定正向平均电流：在规定条件下，阳极和阴极间可以连续通过的50HZ正旋半波电流的平均值。
可控硅的维持电流：在规定条件下维持可控硅导通的最小正向电流。
可控硅的漏源饱和电流：在栅源短路，漏源电压足够大时的漏源电流。

可控硅的正向跨导：在共源电路中，栅源输入电压每增加1V所引起的漏源输出电流的变化量。
可控硅的最大栅源电压：MOS管因为其栅极有很高的绝缘电阻，因此栅极开路时，很容易使管子损坏，存放时应注意将三个管脚短接。
例：N 沟道结型场效应管:3DJ6D
饱和漏源电流：《0.35ma 夹断电压：<4V(-4V) 栅源绝缘电阻：10(8)ohm 正向跨导：>1000 输入电容：<5pf 电容反馈：<2pf 低频噪声：<5db 高频功率增益：>10db最高震荡频率：>30mhz最大漏源电压：20V 最大栅源电压：20V 最大耗散功率：100mw 最大漏源电流：15ma
可控硅的正向（反向）阻断电压： 定义为转折电压减去100V后的电压值，使用时正向电压不允许超过此值。
可控硅的控制极触发电压电流：在规定条件下使可控硅导通所必须的最小控制极直流电压电流值，一般情况，控制极电压不的超过10V电流不超过1A
可控硅的导通时间：从控制极加上信号到阳极电流上升到最终值的90%所需要的时间。他包括延迟时间，为阳极电流上升到10%的时间，上升时间，为从10%-90%所需要的时间。
可控硅的关断时间： 从切断正向电流到控制极恢复控制能力所需要的时间。
例：3CT061(小电流单向管)电流：1A触发电压：《2V
可控硅的触发电流：0.01-30ma导通时间<80us
可控硅的关断时间：<2.5us瞬时电流：9.5A
3CTS5(小电流双向管)电流：5A触发电压：《3V
触发电流：50ma瞬时电流：42A