IGBT讨论

详细内容

关于IGBT讨论,非常好的关于IGBT的教程，下面是它的内容提纲
IGBT的基本结构
绝缘栅双极晶体管本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电 工委员会 IEC ／ TC （ CO ） 13 3 9 文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。
IGBT 的工作原理和工作特性
IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP 晶体管提供基极电流，使 IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使 IGBT 关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相同，只需控制输入极 N 一沟道 MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。
IGBT 的擎住效应与安全工作区
擎住效应
在分析擎住效应之前，我们先回顾一下 IGBT 的工作原理（这里假定不发生擎住效应）。
1 ．当 Uce ＜ 0 时， J3 反偏，类似反偏二极管， IGBT 反向阻断；
2 ．当 Uce ＞ 0 时，在 Uc 3 ．IGBT 的关断。在 IGBT 处于导通状态时，当栅极电压减至为零，此时 Ug ＝ 0 ＜ Uth ，沟道消失，通过沟道的电子电流为零，使 Ic 有一个突降。但由于 N 一区注入大量电子、空穴对， IC 不会立刻为零，而有一个拖尾时间。
IGBT 的驱动与保护技术

1 ． IGBT 的驱动条件驱动条件与 IGBT 的特性密切相关。设计栅极驱动电路时，应特别注意开通特性、负载短路能力和 dUds ／ dt 引起的误触发等问题。
正偏置电压 Uge 增加，通态电压下降，开通能耗 Eon 也下降，分别如图 2 － 62 a 和 b 所示。由图中还可看出，若十 Uge 固定不变时，导通电压将随漏极电流增大而增高，开通损耗将随结温升高而升高。
集成化 IGBT 专用驱动器 EXB841
现在，大电流高电压的 IGBT 已模块化，它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外，现在已制造出集成化的 IGBT 专用驱动电路。其性能更好，整机的可靠性更高及体积更小。