用万用表判测场效应管

详细内容

⑴结场效应管的判测
将万用表的红、黑表分别接 S、D，管脚中任一脚为栅极G，用黑表笔接所假定G极然后分别用红表外两个电极。若两测得电阻值都比较小（几千欧），再交换表笔，用红表笔接触假定G极，用黑表笔分别接触另外两电极，若测得电阻值均很大（无穷大），则说明所设电极是栅极G。同时也就确定了管子是N沟道结场效应管（反之为P沟道结场效应管）。
如果所选电极不满足上述情况，另选一是电极再测，直到找出栅极G为止。若在测试中，不能找到满足上述条件情况，则可能结场效应管已损坏。 当栅极G确定后，漏极D和源极S可以互换使用，因此可以不一定再判别。
判出三个电极后，还要判测一下管子的放大能力，方法，然后用手指碰触G，如果万用表指针有较大幅度的摆动，说明管子有较大的放大能力。如果表针摆动幅度很小或几乎不动则说明管子不能使用。
⑵VMOS场效应管的判测不论用万用表的电阻挡如何去测试，D和S之间也是不会导通的。实际上MOS场效应管在制造中将S极与衬底连接在一起，这样三个电极就有明显的区别了
。一般情况下，不允许用万用表测试M缘层是一层很薄的二氧化硅(O2si)，当带电体靠近栅极时，栅极与衬底之间组成的极间电容很小，栅极和衬底间的感生电荷在绝缘层上产生很高电压（U＝Q/C），会导致绝缘层击穿，管子损坏。但大功率的电源开关管（VMOS）场效应管时，可以用下面介绍的方法进行测试。 功率还具有耐压高（最高耐压达1200V）、工作电流大（1.5A～100A），输出功率大（1W～250W），跨导线性好、开关速度快等优点。近年来，在各种电子领域中得到了的应用。
判别管脚：
①判别栅极G与其余两脚间电阻为无穷大，且交换表笔测量时阻值仍为无穷大，则证明此脚是栅极G。因为从结构上看，栅极G与其余两脚是绝缘的，但要注意，此种测量法仅对管内无保护二极管的VMOS管适用。
②判定源极S和漏极N结正、反向电阻存在差异的特点，可准确识别源极S和漏极D。将万用表置于R×1K挡，先将VMOS管三个电极短接一下，然后用交换表笔的方法测两次电阻，如果管子是好的必然会测得阻值为一大一小，其中阻值较大的一次测量中，黑表笔所接的为漏极D，红表笔所接的为源极S，而阻值较小的一次测量中，红表笔所接的为漏极D，黑表笔所接的为源极S，这种规律还证明，被测管为N沟道管，如果被测管子为P沟道管，则所测阻值的大小规律正好相反。 好坏的判别：用万用表R×1K 挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值。如果出现两次 以上 置于 R×1K 挡。先将被测 VMOS 管的栅极 G 与源极 S 短接一下，然后将红表笔 阻值应 接近
④紧接上G 与 S 短接 一下.上述测量方法是针对 N 沟道 VMOS 场效应管而言，若测量 P 沟道管，则应将两表笔位 置调换。电阻值较小（几乎为0×KΩ），则该场效应管损坏；如果仅出现一次电阻值较小（一般为数百欧），其余各次测量电阻值均为无穷大，还需作进一步判断（注意，以上测量方法适用于内部无保护二极管的VMOS管）。以N沟道管为例，可依次做下述测量，以判定管子是否良好 。
①万用表红接漏极D，黑表笔接源极S，所测阻值应为数千欧。
②先用导线短接G与S，将万用表置于R×10K挡，红表笔接S，黑表笔接D，无穷大，否则说明VMOS管内部PN结的反向特性比较差。
③紧接上述测量将G与S间短路线去掉，表笔位置不动将D与G短接一下再脱开，相给栅极注入了电荷，此时阻值应大幅度减小并稳定在某一阻值。此阻值越小说明跨导值越高，管子的性能越好。
如果万用表指针向右摆幅很小，说明管子的跨导值较小，此步测试时需要注意的是，万用表的电阻挡一定要选用R×10K的高阻挡，这时表内电压较高，阻值变化比较明显。如果使用R×1K或R×100挡，会因表内电压较低而不能正常进行测试。